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第236章 天不负（第1页）

“必定能实现！”

“在各个领域我已经做好准备，非核心技术我会让别人来代工，例如屏幕玻璃和手机电池，这些我都已经谈妥。

核心技术的话，我只会抓在自己手中，现在公司已经对手机操作系统进行开发、以及各种新技术的研究。

不过在我看来，最关键的还是手机芯片，国内一个能打的都没有，汉芯一号那种狗屁倒灶的事就更别提了。”

“所以你打算自主设计芯片研发？”

“对，相关领域的人才我已经招聘了不少，但缺少一个真正懂行的领头人。”

“全球优秀工程师那么多，为什么选我？”

“我也不怕告诉你，因为你是胡正明教授唯一的关门弟子，也因为你曾经重度参与过鳍式场效应晶体管的研究，综上所述，你是独一无二的选择。”

1975年，英特尔公司创始人提出了“摩尔定律”，预言集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔两年会增加一倍。

从那时起往后20年，半导体行业一直遵照这个定律迅猛发展，直到1995年，当时的晶体管尺寸达到了358nm，逼近100nm。

业界认为这可能预示着晶体管尺寸的极限即将到来，半导体行业的黄金发展时期濒临结束。

胡正明接受了挑战，在1999年鳍式场效应晶体管解决方案，垂直铺设传导管道，开启3D晶体管时代。

这一方案把摩尔定律的效期延长了几十年。

鳍式场效应晶体管的专利不多，但却极为重要。以后这套技术所有半导体工厂都绕不过去。

除非他们只想生产20nm以上的芯片。

在FinFET（鳍式场效晶体管）之前，半导体行业普遍采用的是BulkCMOS工艺技术进行半导体的生产制作。

不过，BulkCMOS工艺技术有一个非常大的缺陷，那就是当半导体栅极长度逼近20nm大关时，对电流控制能力急剧下降，漏电率相应提高。

也就是说利用BulkCMOS工艺技术生产的半导体，其制程极限为20nm。

现在鳍式场效晶体管基本用不到，因为工艺要求还没达到，世界半导体巨头还在为攻克100nm而烦恼呢。

要是放到十年以后，如果还采用这个模式，那工厂就等着倒闭吧，核心竞争力根本没有。

这并不妨碍他积极布局鳍式场效晶体管的相关专利，掌握了这些专利，就掌握了日后与国外竞争对手谈判的资本。

这样才能在被卡脖子时还有一丝还手之力，不至于对手摆出架势，己方就躺平了。

想要掌握这些专利，选择一个熟悉鳍式场效应晶体管的人来负责，绝对能起事半功倍的作用。

当然他也可以选择去挖胡正明教授，不过挖他的难度和代价比挖梁孟松大得多，他的钱并非无限，好钢的用在刀刃上。

而且胡正明是美籍华人，说到底他就是个镁国人，他不歧视别国科学家，但却担心技术泄密。

现在的星辰无垠容错率太低，决不允许出现这种致命的错误。

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